外媒報道稱,三星已開始其新建的 V1 晶圓工廠的大規模生產,成為業內首批完全使用 6LPP 和 7LPP 制造工藝的純極紫外光刻(EUV)生產線。作為三星下一代制造工藝的重要推動力,EUVL 能夠減少多重曝光,提升采用更精細設計的芯片的良率。

  初期,三星將 EUVL 設備用于其 6LPP 和 7LPP 節點,且未來有望擴展至 5LPE、4LPE、3GAE 和 3GAP 等制程節點。

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  該工廠的 7LPP 和 6LPP 工藝,將用于今年一季度交付的高端移動 SoC,但目前尚不知合約客戶的名稱。

  

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  需要注意的是,6LPP 并不是三星多項目晶圓(MPW)穿梭計劃的一部分,或表明該工藝僅適用于三星自家的產品(或那些不適用 MPW 的客戶)。

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  6LPP 是三星 7LPP 節點的演進,提升了約 10% 的晶體管密度和更低的功耗,可與最初為 7LPP 開發的 IP 兼容并重復使用。

  

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  此外,6LPP 為渴望投資于全新 IP 和多重擴散中斷(Multi Diffusion Break)功能的設計人員,提供了智能結構的支持。

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  然而 6LPP 可能僅面向部分客戶限量供應,未來重點似乎是新的 5PLE 節點,后者在功耗、性能等方面具有更多的優勢。

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  據悉,三星 V1 晶圓廠位于韓國華城、毗鄰 S3,該公司在那里開啟了 7LPP 制程芯片的首次批量生產。

  三星于 2018 年 2 月開始建造 V1,并于 2019 下半年開始晶片的測試生產。現在,該公司將繼續擴大 V1 晶圓廠產能規模。

  預計到 2020 年底時,EUV 7LPP 以下總產能節點數量將是 2019 年的三倍,且針對 V1 的累計投資將達到 60 億美元。